Influence of SiO2 or h-BN substrate on the room-temperature electronic transport in chemically derived single layer graphene
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Influence of SiO2 or h-BN substrate on the room-temperature electronic transport in chemically derived single layer graphene
Haupttitel:
Influence of SiO2 or h-BN substrate on the room-temperature electronic transport in chemically derived single layer graphene
Autor*in:
Wang, Zhenping; Yao, Qirong; Hu, Yalei; Li, Chuan; Hußmann, Marleen; Weintrub, Ben; Kirchhof, Jan N.; Bolotin, Kirill; Taniguchi, Takashi; Watanabe, Kenji; Eigler, Siegfried
Erscheinungsjahr:
2019
Datum der Freigabe:
2020-01-14T11:32:33Z
Identifier:
https://refubium.fu-berlin.de/handle/fub188/26389
http://dx.doi.org/10.17169/refubium-26149
Teil des Identifiers:
e-ISSN (online): 2046-2069
ZDB-ID: 2623224-8
Sprache:
Englisch
Freie Schlagwörter:
substrate effect
electronic transport
graphene
DDC-Klassifikation:
530 Physik
540 Chemie und zugeordnete Wissenschaften
Publikationstyp:
Wissenschaftlicher Artikel
URL der Originalausgabe:
https://pubs.rsc.org/lv/content/articlelanding/2019/ra/c9ra09197a#!divAbstract
DOI der Originalausgabe:
10.1039/C9RA09197A
Jahrgang/Volume:
9
Heft/Issue:
65
Zeitschrift:
RSC Advances
Seiten:
38011–38016
Fachbereich/Einrichtung:
Biologie, Chemie, Pharmazie
Physik
Anmerkungen:
Die Publikation wurde aus Open Access Publikationsgeldern der Freien Universität Berlin und der DFG gefördert.
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Das Dokument erscheint in:
Dokumente FU
Dateien zu dieser Ressource
c9ra09197a.pdf
Größe: 1.512MB
Format: PDF
Prüfsumme (MD5): a2f8a12a81b961bcc3154771cbe1f229
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